功率半導體(IGBT)
EV、HEV用IGBT模塊采用直接水冷銅散熱片基礎結構、實現了高功率密度和小型封裝的EV、HEV用IGBT模塊產品中分別內置有6個IGBT和FWD。此外，還內置有用于檢測溫度?EV、HEV用IGBTIPM內置有驅動電路和保護功能的EV、HEV用IGBTIPM?IGBTIPMIPM內置有包含IGBT驅動電路和保護電路的控制IC，因而容易設計外圍電路，從而能夠確保系統的高可靠性。適用于AC伺服系統、空
EV、HEV用IGBT模塊采用直接水冷銅散熱片基礎結構、實現了高功率密度和小型封裝的EV、HEV用IGBT模塊產品中分別內置有6個IGBT和FWD。此外，還內置有用于檢測溫度?EV、HEV用IGBTIPM內置有驅動電路和保護功能的EV、HEV用IGBTIPM?IGBTIPMIPM內置有包含IGBT驅動電路和保護電路的控制IC，因而容易設計外圍電路，從而能夠確保系統的高可靠性。適用于AC伺服系統、空
